Facilități avansate Producție eficientă1) curentul invers de diode de siliciu este mult mai mică decât cea a diodei germaniu. Tubul de germaniu este clasa mA şi tubul de silicon este la nivel nA. Acest lucru se datorează faptului că în aceeași temperatură ge ni este despre trei ordine de mărime mai mare decât siliciu ni, atât sub aceeași concentrație de dopaj de siliciu Jane concentrațiile puţin de Jane de germaniu concentrare, astfel încât tubul de silicon inversa saturaţie curent este foarte mic.
2) în cazul în care tensiunea înainte este foarte mic, actuală a diodei este foarte mică şi numai după ce transmite tensiunea atinge un anumit număr, curentul va creşte în mod semnificativ. În mod normal, tensiunea dumneavoastră se numeşte tensiune de prag o dioda, de asemenea, cunoscut ca o zona moarta tensiune sau tensiune de prag. Tensiune de tinere de o diodă de siliciu este mai mare decât tensiunea de pragul de diodă germaniu deoarece este din siliciu dioda este mult mai mică decât cea a diodei germaniu. Tensiune de tinere de diode de siliciu generale este aproximativ 0.5v ~ 0.6v, şi tensiune de prag de germaniu Diodă este aproximativ 0.1v ~ 0.2v.